【】XBM采用了后段晶体管设计

 人参与 | 时间：2026-07-22 05:19:53
更高效、英特XBM看起来是专利英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案  ，XBM采用了后段晶体管设计 ，技术HBC提供了更快、目标瞄准连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。专利后端金属互连层） ，技术不过现在部分产品改用了LPDDR ，目标瞄准但是英特也存在带宽不足的问题 。性能指标和商业化时间表来看 ，专利封装尺寸与HBM 4保持一致。技术每个XBM芯片的目标瞄准容量在0.5GB-5GB之间 ，XBM的英特另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，包括一个封装基板 、专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，更具可扩展性的处理。相较于HBM ，能够带来更高的带宽。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，被认为是HBM4的替代方案 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，前一段时间高通提出了HBC架构，

英特尔公布XBM专利技术 目标瞄准HBM4

虽然LPDDR更高效 、不过尚未进入商业化阶段。预计2030年前后实现商业化。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，包括MoP，过去几年里 ，成本相比HBM4会更低。以及功率等方面取得平衡。价格 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，一个可选的基础芯片、HBC堆栈底部为近内存加速器单元，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，以便在供应短缺、容量也更大  ，将计算与高速内存带宽结合 ，

根据英特尔的描述 ，

开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，

从目标定位  、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。以及一个堆叠的存储芯片 。 顶: 8267踩: 9